7奈米製程

台積公司的7奈米鰭式場效電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程技術提供專業積體電路造服務領域最具競爭力的邏輯閘密度(Logic density),並領先業界於2016年6月成功產出良率達到2位數的256Mb的靜態隨機存取記憶體,已於2017年四月開始試產,並於2018年底接獲超過四十個客戶產品投片,且預計於2019年取得超過100件新的客戶產品設計訂案,而第二代7 奈米(N7+)技術於2018年8月開始試產,將成為業界第一個商用EUV 製程技術。

另外台積公司於2019年第二季宣布開發6奈米(N6)製程技術,大幅強化目前領先業界的7奈米(N7)技術,協助客戶在效能與成本之間取得高度競爭力的優勢,同時藉由N7技術設計的直接移轉而達到加速產品上市的目標。藉由目前試產中的7奈米強效版(N7+)使用極紫外光(EUV)微影技術所獲得的新能力,台積公司N6技術的邏輯密度較N7技術增加18%;同時,N6技術的設計法則與台積公司通過考驗的N7技術完全相容,使得7奈米完備的設計生態系統能夠被再使用。因此,N6提供客戶一個具備快速設計週期且只需使用非常有限的工程資源的無縫升級路徑,支援客戶採用此項嶄新的技術來達成產品的效益。

而 N6技術預計於2020年第一季進入試產,提供客戶更多具成本效益的優勢,並且延續7奈米家族在功耗及效能上的領先地位,支援多樣化的產品應用,包括高階到中階行動產品、消費性應用、人工智慧、網通、5G基礎架構、繪圖處理器、以及高效能運算。

相較於10奈米FinFET製程技術,台積公司7奈米FinFET製程技術在邏輯閘密度(Logic Density)提高1.6倍,速度增快約20%,功耗降低約40%。此外,台積公司的7奈米FinFET也針對行動應用和高效能運算應用,同時提供客戶兩種不同的優化製程選項,是業界的一項創舉。

7奈米製程

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