台积公司的10奈米鳍式场效电晶体制程技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）缔造专业积体电路制造服务领域在效能、功耗及面积（Performance，Power，Area；PPA）及推出时程最具综合竞争优势的里程碑，自2016年第一季开始接受客户的产品设计定案，并于2017年初开始大量出货，成功的支援了主要客户新推出的行动产品。
由于采取更积极的制程微缩，台积公司10奈米FinFET制程技术较16奈米FinFET制程技术，在逻辑闸密度（Logic Density）提高2倍，速度增快约15%，功耗降低35%。此一技术延续FinFET制程技术的革命性优势，能够协助客户达到最佳密度与功耗。
台积公司的10奈米FinFET制程技术能够支援客户包括应用处理器、行动通讯基频，以及特殊应用晶片（ASIC）的应用。
