台積公司率先推出自動化FlashROM? 服務協助客戶轉換罩幕式記憶體(MROM),降低製造成本,加速產品進入量產之時程

台灣積體電路製造股份有限公司今(10)日宣佈推出業界首見的自動化快閃式唯讀記憶體(FlashROM? )服務,用以支援其嵌入式快閃記憶體(EmbFlash? )製程技術。藉由這項嶄新的FlashROM技術,台積公司可協助其EmbFlash客戶將晶片內的快閃記憶體自動轉換為罩幕式記憶體 (“mask-based” ROM; MROM),以降低製造成本,並加速產品進入量產之時程。

台積公司市場企劃副總經理鮑利邁(Mike Pawlik)表示,比起以往將快閃記憶體轉換為MROM的方式,台積公司新推出的FlashROM服務不僅減省了耗費於設計上的心力與時間,同時亦加速產品進入量產之時程。此外,在產品生產過程中,隨著整體晶圓良率改善時,這項服務還可省卻進行光罩及測試時的部份步驟,可有效地縮短生產週期。台積公司將持續發展及創新EmbFlash製程技術與服務,以期更能滿足系統單晶片(System-on-a-Chip; SoC)設計客戶的要求。

目前台積公司0.5微米EmbFlash製程技術的客戶已經可以使用FlashROM服務。至於0.35 微米及0.25微米EmbFlash製程技術,則將陸續於今年中及年底提供FlashROM技術服務。

一般而言,當採用EmbFlash製程技術進行產品量產時,一旦產品設計趨於穩定之後,部份客戶在大量生產時會尋找較嵌入式快閃記憶體成本低的替代品。台積公司所提供的FlashROM服務,賦予客戶相當大的彈性,設計者可直接將產品中以快閃記憶體為基礎的部分轉換為MROM版本,而不需修改邏輯設計上其他部份,因此可以大幅省卻晶片重新設計及製造所需之時程。

台積公司提供EmbFlash製程技術予客戶,滿足設計者對程式碼或資料可修改之彈性需求。EmbFlash技術尤其適用於需要系統上直接修改程式碼、產品重複使用或出貨前程式碼臨時變更之產品設計。

台積公司之FlashROM服務也是該公司今年技術發表會(Technology Symposium)的多項主題之一。台積公司今年在美國舉辦的技術發表會將於4月23日在加州San Jose舉行,4 月25日在德州Austin舉行,4月27日在麻塞諸塞州Boston舉行, 4 月30日在加州Costa Mesa舉行。此外,台積公司也將陸續在台灣、日本及歐洲各地舉辦技術發表會。欲參加任一技術發表會者,請至台積公司網站(www.tsmc.com.)點選報名。

EmbFlash? 簡介

台積公司之EmbFlash製程技術是領先專業晶圓製造服務業界的嵌入式快閃記憶體技術,這項先進且節省成本的技術可供設計者應用於不同領域的多項產品,包括MCU、DSP、智慧卡(smart card)、行動通訊、汽車、CPLD及其他方面之應用。 EmbFlash技術結合台積公司先進的邏輯製程與美商SST 公司的SuperFlash? split-gate快閃記憶體元件,建構成為一項效能優異且與邏輯相容的快閃記憶體技術。此外,EmbFlash可在同一晶片上整合靜態隨機存取記憶體(SRAM)、射頻(RF)及類比功能,提升產品性能。 目前EmbFlash技術已導入台積公司0.5微米、0.35 微米及0.25微米製程,並計劃於2001年第三季導入0.18微米製程。EmbFlash技術的特點包括快閃記憶體面積小及光罩步驟少,並且提供大部份常用的快閃記憶體組塊,密度範圍自4仟位元至數百萬位元,data bus包括8bits、16bits 及32 bits,記憶體涵蓋高效能與低耗電之設計,設計者的選用彈性可小至4 bytes/sector,與EEPROM效能相近。