台積公司推出矽鍺雙載子互補金氧半導體(SiGe BiCMOS)製程技術為高效能及低耗功率產品提供另一個在成本及效能更具優勢的解決方案

台灣積體電路製造股份有限公司今(2)日宣佈,領先業界推出矽鍺雙載子互補金氧半導體(BiCMOS)製程技術。與標準金氧半導體(CMOS)製程技術相較,台積公司的0.35微米矽鍺BiCMOS製程技術具備更高速及更低耗功率的優勢,同時,其成本也較0.35微米砷化鎵(GaAs)製程低,因此為行動電話、無線區域網路(wireless LAN)以及光纖網路(optical networking)等產品提供了另一個在成本及效能更具優勢的解決方案。

台積公司行銷副總經理胡正大博士表示,台積公司的0.35微米矽鍺BiCMOS製程技術係該公司0.35微米BiCMOS製程技術的延伸,此項關鍵技術係結合了CMOS及雙載子(Bipolar)技術的優點,能夠滿足在全球通訊市場不斷開發中的新產品及應用,特別是行動電話、無線及光纖網路等方面。對一些產品應用而言,使用矽鍺製程技術比CMOS製程技術具有較高的效能及更低的耗功率,此外,亦較其他替代技術節省成本。因此,矽鍺製程技術對先進無線及有線通訊產品的設計人員而言,是一個相當重要的技術。