美商MoSys公司採用台積標準邏輯製程成功量產1T-SRAM?

台灣積體電路製造股份有限公司今(11)日宣佈,該公司運用其高效能、高良率的0.25微米邏輯製程技術,為美商MoSys公司成功地製造出二百萬位元的單一電晶體靜態隨機存取記憶體(1T-SRAM? Core)。MoSys以單一電晶體為基礎的隨機存取記憶體,不僅能提供台積客戶高速及高密度的記憶體功能,並且在製程上能與現有的邏輯製程設計組塊所包含的邏輯元件庫,及傳統六個電晶體靜態隨機存取記憶體相配合。

台積公司資深行銷處長Roger Fisher表示,該公司很高興成為全球第一家以標準邏輯製程為MoSys公司驗證1T-SRAM? Core技術的晶圓廠,利用此一高密度記憶體設計組塊,客戶能將深具經濟效益的系統單晶片與數百萬位元的高速隨機存取記憶體成功地整合在一起。

MoSys公司表示,1T-SRAM? 技術的問世,不但能創造優於傳統靜態隨機存取記憶體三倍的性能表現,同時在降低功率耗損的成績也十分顯著。這項專為系統單晶片所設計的記憶體,可以運用在高效能的精簡指令集處理器(RISC)、數位訊號處理器(DSP)及混合訊號(mixed-singal)介面,產生最佳的效果。

關於1T-SRAM? 的介紹

MoSys的1T-SRAM? 技術運用單一電晶體晶胞(transistor cell)達到高集積度的目的,同時維持SRAM免資料更新(refresh)及低隨機存取週期的優勢。1T-SRAM? 可以成為傳統靜態隨機存取記憶體與嵌入式動態隨機存取記憶體(embedded DRAM)的替代方案。MoSys公司表示,1T-SRAM?可以使用邏輯製程或嵌入式DRAM製程從事製造。目前1T-SRAM? 已經開放給外界授權使用。