工研院電子所與台積公司攜手合作開發磁電阻式隨機存取記憶體(MRAM)技術

工研院電子所及台灣積體電路製造股份有限公司今(20)日共同宣佈,雙方於日前正式簽訂磁電阻式隨機存取記憶體 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 合作發展計畫。此計畫將結合台積公司前段製程技術及電子所的後段製程技術的優勢,除了可即時切入下一世代奈米電子的製程技術開發外,將有助於繼續維持我國半導體產業技術的優勢。

磁電阻式隨機存取記憶體 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 係利用具高敏感度的磁電阻材料製造的記憶體,是一種新穎的非揮發性 (Non-Volatile) 記憶體,其特性為具有高讀寫速度、高集積度、高耐久性、低耗電及抗幅射線多項優點,同時整合了DRAM、SRAM及Flash的特性。此外,其可以與現有的CMOS製程整合,ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) 已將其列為最新的下一代記憶體。最近已陸續有許多國際廠商發表MRAM的研發成果及量產商用產品,包括在太空科技、可攜型醫學電子產品及先進行動數位與網路產品的應用,未來的市場潛力無窮。

電子所所長徐爵民博士指出,尋求更快、更低耗能及更微小的元件一直是國際上IC發展的共同目標。隨著IC技術的不斷改進,目前已遭遇到必須尋求新材料、新結構與新製造技術之IC細微化極限的挑戰。因此,就全球IC技術發展的趨勢來看,為確保我國在產業之製造優勢,透過國家型奈米科技發展計畫來開發奈米電子技術實為刻不容緩的工作。其中,自旋電子(Spintronics)元件為奈米電子重要技術之一,而MRAM又是自旋電子元件中,短期內最可能實用化的應用產品技術。因此,電子所將致力於自旋電子元件設計、大面積鐵磁性超薄薄膜成長及蝕刻、自旋電子元件與CMOS製程整合等MRAM核心技術之開發,並透過與台積公司之合作,結合其磁性電路設計與產品驗證,以建立高密度MRAM關鍵製程技術。電子所與台積公司的合作開發計劃可望加速建立國內MRAM自主性關鍵技術。

台積公司技術長胡正明博士表示,台積公司向來在研究發展方面不遺餘力,藉由不斷開發新世代以及更多樣之量產製程技術,期為客戶繼續提供最完善、最先進的專業積體電路製造服務,共同提高客戶與台積公司的競爭力。其中MRAM便是已開始佈局的下世代新電晶體製程技術之一。此次透過與電子所的合作,台積公司可以以既有的先期研究基礎(know-how),結合雙方的優勢及資源共同合作,使台灣躋身世界研究開發MRAM先驅行列,同時更可擴展台積公司現有的技術頻譜,跨入新世代的技術領域。

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