MoSys採用台積公司0.35微米嵌入式DRAM製程技術成功開發出全球最快速的嵌入式DRAM IP核心

台灣積體電路製造股份有限公司與美商MoSys公司今(30)日共同宣佈,MoSys公司利用台積公司高效能、高良率的0.35微米嵌入式DRAM製程技術,成功地開發出全球最快速的嵌入式DRAM IP核心。

MoSys公司董事長許富傑表示,「過去三年,MoSys的Multibank架構專利使得MoSys在標準型DRAM的效能表現上領先全球同業。而由於台積公司高度優異的嵌入式DRAM製程技術支援,MoSys能夠成功地將Multibank架構專利應用在嵌入式記憶體上。相信雙方的合作關係,能使MoSys在新興的嵌入式DRAM及嵌入式SRAM的市場上同樣保持領先的地位。」

MoSys公司的嵌入式DRAM IP核心,主要應用於繪圖及通訊產品,而由於使用Multibank架構,使得MoSys嵌入式DRAM具有低耗電量的優點,這對無線通訊產品是極為重要的。MoSys嵌入式DRAM的容量以一個Megabit為單位,其大小介於4M bits至32 bits之間,客戶可以依其需求選擇不同的記憶體容量。其運作頻率最高可以達到133MHz,而在資料傳輸方面,則是利用512bit的資料傳輸方式,平均可以維持超過每秒7Gbytes資料處理速度,最高速度可以達到每秒鐘8.5Gbytes的新世界記錄。

在台積公司驗證成功的MoSys 0.35微米嵌入式DRAM IP核心,支援 non-multiplexed address bus,同時具備極簡單的操作指令集和內建式的修復及測試機制,其最佳化的結果,可以簡化產品設計及測試作業流程。至於更高階的0.25嵌入式DRAM IP核心,目前正在發展階段,預計於1999年第二季時推出。