台积公司的A12技术是第二代创新的背面电轨（Backside Power Rail）解决方案，整合了尖端的纳米片晶体管，使其成为人工智能（AI）和高性能计算（High-Performance...

A14是台积公司下一世代先进逻辑制程技术，透过尺寸微缩实现全制程节点的效能、功耗及面积的进步。A14制程技术旨在透过提供更快的运算和更好的能源效率来推动人工智能（AI）转型...

台积公司A16技术，结合领先的奈米片晶体管及创新的背面电轨（Backside Power Rail）解决方案以大幅提升逻辑密度及效能。背面电轨将供电线路移到晶圆背面，以在晶圆正面...

台积公司2奈米（N2）技术已如期于2025年第四季开始量产。N2技术采用领先业界的第一代奈米片（Nanosheet）晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步，以满足节能运算日益...

台积公司于2022年领先业界成功量产3奈米鳍式场效晶体管（3nm FinFET, N3）制程技术。N3技术为业界最先进的鳍式场效晶体管技术，提供最佳的效能（Performance）...

台积公司于2020年领先业界量产 5奈米鳍式场效晶体管（5nm FinFET, N5）技术，协助客户实现智能型手机及高效能运算（High-Performance Computing, HPC）等产品的创新...

台积公司于2018年领先全球专业集成电路制造服务领域量产7奈米鳍式场效晶体管（7nm FinFET, N7）技术。N7制程技术是台积量产速度最快的技术之一，并同时针对行动运算应用...

台积公司于2013年领先全球专业集成电路制造服务领域，成功试产16奈米鳍式场效晶体管制程技术（Fin Field Effect Transistor, FinFET）制程技术，并于2014年为客户产出...

22奈米超低功耗（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）制程技术系奠基于台积公司领先业界的28奈米制程，拥有更优异的效能及成本优势，可满足图像处理器、数字电视、机顶盒、智能型手机...

台积公司于2011年领先专业积体电路制造服务领域推出28奈米泛用型（General Purpose）制程技术，之后，台积持续扩展其28奈米系列技术，为客户需求提供业界最完备多样的28奈米制程选项...

台积公司于2008年领先专业积体电路制造服务领域，采用40奈米制程技术为多家客户量产晶片。此一技术结合了193奈米浸润式曝光显影制程以及超低介电系数元件连接材料，除了更佳的晶片效能...

台积公司于2005年领先专业积体电路制造服务领域成功试产65奈米晶片，并于2006年成功通过65奈米制程技术的产品验证，并针对客户需求率先推出低耗电量（Low Power）制程技术...

台积公司领先全球于2004年12月日本半导体展（SEMICON Japan）中，发表已顺利使用浸润式曝光（Immersion Lithography）机台产出90奈米晶片、并通过功能验证的研究成果...

台积公司领先全球半导体业界，成功开发0.13微米系统单晶片（System-on-Chip, SoC）铜／低介电系数（Cu/Low-K）制程技术，其中重要的关键在于台积坚持技术自主开发。在技术开发...

台积公司的0.18微米逻辑技术在半导体制造领域树立了一项重要的里程碑，至今为多种应用提供了可靠且经过验证的解决方案。此一成熟的制程节点在性能、成本和可靠性之间实现了极为出色...