台积公司坚持技术自主，奠定全球技术领导地位，提供专业积体电路制造服务领域中最先进及最完备的技术与服务。
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A16制程
台积公司A16™是我们下一代的奈米片（Nanosheet）晶体管技术，并采用超级电轨技术（Super Power Rail，SPR）。台积公司的SPR是具有独创性、领先业界的背面供电解决方案...
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2奈米制程
台积公司2奈米（N2）技术开发依照计划进行并且有良好的进展。N2技术采用第一代奈米片（Nanosheet）晶体管技术，提供全制程节点的效能及功耗进步...
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3奈米制程
台积公司自2022年领先业界成功大量量产3奈米鳍式场效晶体管（3nm FinFET, N3）制程技术。N3为业界最先进的半导体逻辑制程技术...
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5奈米制程
台积公司于2020年领先业界量产 5奈米鳍式场效晶体管（5nm FinFET, N5）技术，协助客户实现智能型手机及高效能运算等产品的创新...
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7奈米制程
台积公司于2018年领先全球专业集成电路制造服务领域量产7奈米鳍式场效晶体管（7nm FinFET，N7）技术，此一技术是台积公司量产速度最快的技术之一...
台积公司于2018年领先全球专业积体电路制造服务领域量产7奈米鳍式场效电晶体（7nm FinFET，N7）技术，此一技术是台积公司量产速度最快的技术之一，并同时针对行动运算应用及高效能运算元件提供优化的制程。此外，7奈米FinFET强效版（N7+）技术于2019年开始量产，是全球积体电路制造服务领域首个应用极紫外光（EUV）于商业运转的技术。 N7及N7+技术已为客户量产5G及高效能运算产品多年，并于2021年开始为客户量产消费性电子与车用电子产品。
2019年，台积公司更进一步强化领先业界的7奈米技术，推出6奈米技术（N6）。N6技术自2020年进入量产以来，广泛应用于手机、高效能运算，以及消费性电子产品。N6超低功耗（Ultra-low Power，ULP）技术－N6e™正在顺利开发中，其制程设计套件（Process Design Kit，PDK）已于2023年完成。
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16/12奈米制程
台积公司于2013年11月领先全球专业积体电路制造服务领域，成功试产16奈米FinFET（Fin Field Effect Transistor，鳍式场效电晶体）制程技术...
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20奈米制程
台积公司于2014年领先全球专业积体电路制造服务领域，成功以双重曝刻（Double Patterning）量产客户20奈米产品，并于该年度缔造最快速产能提升...
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22奈米制程
22奈米超低功耗制程技术（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）发展系根基于台积公司领先业界的28奈米制程，并于2018年第四季完成所有...
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28奈米制程
台积公司于2011年领先专业积体电路制造服务领域推出28奈米泛用型（General Purpose）制程技术，之后，台积公司持续扩展其28奈米系列技术...
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40奈米制程
台积公司于2008年领先专业积体电路制造服务领域，采用40奈米制程技术为多家客户量产晶片。此一技术结合了193奈米浸润式曝光显影制程以及...
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65奈米制程
台积公司于2005年领先专业积体电路制造服务领域成功试产65奈米晶片，并于2006年成功通过65奈米制程技术的产品验证，并针对客户需求率先...
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90奈米制程
台积公司领先全球于2004年12月日本半导体展（SEMICON Japan）中，发表已顺利使用浸润式曝光（Immersion Lithography）机台产出...
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0.13微米制程
台积公司领先全球半导体业界，成功开发0.13微米系统单晶片（System-on-a-Chip，SoC）铜／低介电系数（Cu/Low-K）制程技术，其中重要...
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0.18微米制程
台积公司领先全球在1998年就推出了世界第一个0.18微米低耗电制程技术。之后，更每隔两年就领先竞争对手推出下一代新的低耗电制程技术...
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3微米制程
台积公司于1987年创立，即秉持｢自主技术｣的策略，并积极进行制程技术开发，以奠定竞争优势。台积公司成立之初，自台湾工研院移转3.5微米...
