台积公司坚持技术自主，奠定全球技术领导地位，提供专业积体电路制造服务领域中最先进及最完备的技术与服务。
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3奈米制程
台积公司自2022年领先业界成功大量量产3奈米鳍式场效晶体管（3nm FinFET, N3）制程技术。N3为业界最先进的半导体逻辑制程技术...
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5奈米制程
台积公司的5奈米鳍式场效电晶体（Fin Field-Effect Transistor，FinFET) 制程技术是同时针对行动应用和高效能运算应用优化的制程选项...
台积公司于2020年第二季，成功量产领先业界的5奈米（N5）鳍式场效电晶体（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程技术，并于下半年快速提升产能。
N5是台积公司第二代使用极紫外光（EUV）技术的制程，协助客户实现行动通讯及高效能运算应用等产品的创新。作为业界最先进的解决方案，N5技术拥有最佳的效能、功耗及面积（PPA），相较于7奈米（N7）技术，N5技术速度增快约20%，或者功耗降低约40%。能够进一步扩大台积公司的客户产品组合，并且拓展台积公司的潜在市场。
此外，台积公司计划推出4奈米（N4）技术，此系N5技术的强化版，为下一世代N5技术产品提供效能、功耗、及密度方面进一步的强化。N4技术的开发依照计划进行并有很好的进展，并预计于2022年开始量产。
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7奈米制程
台积公司的7奈米鳍式场效电晶体（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）制程技术提供专业积体电路造服务领域最具竞争力的逻辑闸密度...
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10奈米制程
台积公司的10奈米鳍式场效电晶体制程技术（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）缔造专业积体电路制造服务领域在效能、功耗及面积...
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16/12奈米制程
台积公司于2013年11月领先全球专业积体电路制造服务领域，成功试产16奈米FinFET（Fin Field Effect Transistor，鳍式场效电晶体）制程技术...
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20奈米制程
台积公司于2014年领先全球半导体制造业成功以双重曝刻（Double Patterning）量产客户20奈米产品， 并于该年度缔造最快速产能提升...
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22奈米制程
22奈米超低功耗制程技术（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）发展系根基于台积公司领先业界的28奈米制程，并于2018年第四季完成所有...
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28奈米制程
台积公司于2011年领先专业积体电路制造服务领域推出28奈米泛用型（General Purpose）制程技术，并针对客户需求提供业界最完备多样的...
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40奈米制程
台积公司于2008年领先专业积体电路制造服务领域，采用40奈米制程技术为多家客户量产晶片。此一技术结合了193奈米浸润式曝光显影制程以及...
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65奈米制程
台积公司于2005年领先专业积体电路制造服务领域成功试产65奈米晶片，并于2006年成功通过65奈米制程技术的产品验证，并针对客户需求率先...
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90奈米制程
台积公司领先全球于2004年12月日本半导体展（SEMICON Japan）中，发表已顺利使用浸润式曝光（Immersion Lithography）机台产出...
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0.13微米制程
台积公司领先全球半导体业界，成功开发0.13微米系统单晶片（System-on-a-Chip，SoC）铜／低介电系数（Cu/Low-K）制程技术，其中重要...
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0.18微米制程
台积公司领先全球在1998年就推出了世界第一个0.18微米低耗电制程技术。之后，更每隔两年就领先竞争对手推出下一代新的低耗电制程技术...
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3微米制程
台积公司于1987年创立，即秉持｢自主技术｣的策略，并积极进行制程技术开发，以奠定竞争优势。台积公司成立之初，自台湾工研院移转3.5微米...
